液晶书写薄膜及其切割方法和切割系统

基本信息

申请号 CN201811133133.0 申请日 -
公开(公告)号 CN109031748B 公开(公告)日 2021-04-20
申请公布号 CN109031748B 申请公布日 2021-04-20
分类号 G02F1/1333(2006.01)I 分类 光学;
发明人 朱元成;何应军 申请(专利权)人 好易写(深圳)科技有限公司
代理机构 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 王杰辉
地址 518000广东省深圳市宝安区福海街道新田社区新田大道71-4号601
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种液晶书写薄膜及其切割方法和切割系统,其中液晶书写薄膜的结构按照第一基材层、第一导电层、液晶层、第二导电层和第二基材层的顺序紧密贴合;第一导电层与第一基材层在各方向上的长度一致,液晶层、第二导电层与第二基材层在各方向上的长度一致,且在激光切割断面处,第一导电层相对于第二导电层内凹一段长度,即在切割断面处第一导电层的长度短于第二导电层,不与第二导电层的端面齐平,而是形成一个阶梯形状。通过这个阶梯形状,把第一导电层和第二导电层分开,使其不会烧结在一块,避免了在使用中短路的风险。