一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201310340263.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103400914B | 公开（公告）日 | 2016-06-29 |
| 申请公布号 | CN103400914B | 申请公布日 | 2016-06-29 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭丽彬;蒋利民;李刚 | 申请（专利权）人 | 江苏华功半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区工业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、n型GaN层n1层、n型AlGaN层、n型GaN层n2层、n型GaN层LN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。其中n型GaN层LN层的生长步骤包括：先生长n型GaN层nGaN3-1层，接着生长n型AlGaN层，最后再生长n型GaN层nGaN3-2层。本发明外延结构及其生长方法，能够有效使得电流均匀扩展，提高外延层晶体质量，提高器件性能。 |
