一种复合衬底及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711063388.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107845569A | 公开（公告）日 | 2018-03-27 |
| 申请公布号 | CN107845569A | 申请公布日 | 2018-03-27 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L27/12;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁智文;张晓荣;黄香魁;龚长春;李瑶 | 申请（专利权）人 | 江苏华功半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 江苏华功半导体有限公司;华润微电子控股有限公司 |
| 地址 | 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种复合衬底及其制备方法，其中所述复合衬底包括：衬底；以及位于所述衬底背面图形化的应力补偿功能层；所述应力补偿功能层的等效热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数和/或应力补偿功能层的等效晶格常数小于所述衬底的晶格常数。本发明的技术方案解决了在传统衬底上，特别是在大尺寸衬底上外延生长时，外延器件中应力较大、容易发生变形而导致外延层均匀性差甚至龟裂的问题。 |
