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一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管及制备方法

基本信息

申请号 CN201711113639.0 申请日 -
公开（公告）号 CN107706232A 公开（公告）日 2018-02-16
申请公布号 CN107706232A 申请公布日 2018-02-16
分类号 H01L29/06;H01L21/335;H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78 分类 基本电气元件;
发明人 李瑶;张晓荣;黄香魁;梁智文 申请（专利权）人 江苏华功半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 江苏华功半导体有限公司
地址 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管及制备方法，具体涉及MIS界面的改进方法，该器件包括衬底及衬底上的外延层、栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括应力缓冲层、GaN层及AlGaN势垒层，通过刻蚀形成凹槽栅结构。其上选择区域二次外延GaN层及SiN介质层，形成原位生长的GaN/SiN界面。再沉积栅极金属覆盖于凹槽沟道栅介质层上，栅极两端覆盖金属形成源极和漏极。本发明器件结构和制备工艺简单可靠，能形成高质量的MIS栅界面，降低MIS栅界面的电子俘获和散射效应，从而提高器件的性能，尤其对沟道电阻的降低以及阈值电压稳定性问题的改善十分关键。