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一种GaN基p型栅HFET器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201711002525.9 申请日 -
公开（公告）号 CN107680998A 公开（公告）日 2018-02-09
申请公布号 CN107680998A 申请公布日 2018-02-09
分类号 H01L29/775;H01L21/335 分类 基本电气元件;
发明人 龚长春;张晓荣;黄香魁;梁智文;李瑶 申请（专利权）人 江苏华功半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 江苏华功半导体有限公司;华润微电子控股有限公司
地址 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种GaN基p型栅HFET器件及其制备方法，器件结构从下至上依次包括：硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、p+‑GaN/n+‑InGaN隧穿层。AlGaN势垒层上形成源极和漏极，p+‑GaN/n+‑InGaN隧穿层上形成栅极，且栅极位于源和漏之间，源栅和源漏之间AlGaN势垒层上生长SiN层。本发明通过生长p+‑GaN/n+‑InGaN隧穿层使源、栅、漏电极可以通过一次性蒸镀同样的电极材料实现器件电极的制备，简化器件工艺流程，提高器件性能。