一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法

基本信息

申请号	CN201310673040.8	申请日	-
公开（公告）号	CN103633134B	公开（公告）日	2016-09-14
申请公布号	CN103633134B	申请公布日	2016-09-14
分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘扬;倪毅强;贺致远;周德秋;张佰君	申请（专利权）人	江苏华功半导体有限公司
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	中山大学;江苏华功半导体有限公司;华润微电子控股有限公司
地址	510275 广东省广州市新港西路135号中山大学
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和基本氮化物复合夹层，氮化物半导体材料层位于应力缓冲层上方；基本氮化物复合夹层包括位于氮化物半导体材料层上方的第一氮化物夹层和位于第一氮化物夹层上方的第二氮化物夹层，第一氮化物夹层为p型，第二氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层，第二氮化物夹层包括铝和镓，并且氮化物材料层的总厚度至少2.0μm以上。本发明的半导体外延结构会在降低氮化物的位错密度、提高氮化物晶体质量的同时，大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。