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一种低导通电阻MIS凹槽栅GaN基晶体管及制备方法

基本信息

申请号 CN201711003341.4 申请日 -
公开（公告）号 CN107785435A 公开（公告）日 2018-03-09
申请公布号 CN107785435A 申请公布日 2018-03-09
分类号 H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 张晓荣;黄香魁;龚长春;梁智文;李瑶 申请（专利权）人 江苏华功半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 江苏华功半导体有限公司
地址 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种低导通电阻MIS凹槽栅GaN基晶体管及制备方法,本发明主要通过调制凹栅处无2DEG区(即凹槽侧壁)的栅长来控制栅沟道电阻。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层、GaN外延层、AlN层、选择区域生长的二次外延层，并形成凹槽沟道。再沉积栅介质层，形成源极和漏极及在栅介质层上形成栅极。本发明可通过材料外延生长方法精确控制凹栅处无2DEG区(即凹槽侧壁)的栅长，提高栅沟道电阻的均匀性，并形成高质量的MIS栅界面，尤其对降低沟道电阻、提高阈值电压稳定性是十分关键的。