一种用于ITO/Ag/ITO薄膜一步刻蚀的蚀刻液

基本信息

申请号 CN202010196688.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111286334A 公开(公告)日 2020-06-16
申请公布号 CN111286334A 申请公布日 2020-06-16
分类号 C09K13/06(2006.01)I;C23F1/30(2006.01)I 分类 -
发明人 庄英毅;王雪刚 申请(专利权)人 厦门思美科新材料有限公司
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 厦门思美科新材料有限公司
地址 361000福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中1730号01单元501
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于ITO/Ag/ITO薄膜一步刻蚀的蚀刻液,所述的蚀刻液由总重量8wt%~27wt%的醋酸、5wt%~25wt%的硝酸、37wt%~70wt%的磷酸、0.1~3wt%的草酸、0.1~1wt%的表面活性剂和0.2~3wt%的盐组成,余量为去离子水;本申请对应的配比方案使得蚀刻液能够在温和的条件下对ITO/Ag/ITO多层薄膜进行蚀刻,且蚀刻后不会有残渣、线条平整、精度高;而且能够渗透、浸润到需要蚀刻的部位,从而提高蚀刻效率,以获得更高的蚀刻均匀性,以及更准确的蚀刻角度,刻蚀稳定性强;同时蚀刻液使用寿命延长到60小时,而且刻蚀时间也缩短至50s,能够满足高端平板显示器件生产工艺需求。