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原位激光刻划装置

基本信息

申请号 CN201820129362.4 申请日 -
公开（公告）号 CN208132211U 公开（公告）日 2018-11-23
申请公布号 CN208132211U 申请公布日 2018-11-23
分类号 B23K26/362;B23K26/70;H01L31/18 分类 机床；不包含在其他类目中的金属加工;
发明人 白雨成;全义九;李相文;张昌泳;丁钟国;边娜恩 申请（专利权）人 胜显（上海）商贸有限公司
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人 胜显（上海）商贸有限公司;株式会社SELCOS
地址 韩国京畿道华城市东滩面东滩工业园10路42
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种原位激光刻划装置，包括：为制备薄膜太阳能电池，放置基板的真空腔；及设置在所述真空腔的外部，利用激光对所述真空腔内放置的基板进行刻划的激光刻划装置。本实用新型提供的原位激光刻划装置在制造铜‑铟‑镓‑硒(Cu‑In‑Ga‑Se)太阳能电池单元时，对于电池单元制造工艺步骤中的P1(背电极：Mo)、P2(光吸收层：CIGS)、P3(透明导电膜：ZnO)工艺，从原来的从真空腔中移出到大气状态下进行加工代替为保持在真空状态下进行加工，节约了流程，提高了生产效率；本实用新型的原位激光刻划装置简化了薄膜太阳能电池制造工艺，缩短了制造时间。