一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统
基本信息
申请号 | CN201220734675.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN203007382U | 公开(公告)日 | 2013-06-19 |
申请公布号 | CN203007382U | 申请公布日 | 2013-06-19 |
分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 于素豪 | 申请(专利权)人 | 汉能新能源研发中心有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 102209 北京市昌平区北七家镇宏福创业园15号院 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统,尤其涉及一种共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜工艺中的控制系统,其包括真空室、蒸发源、基片、加热模块和控制系统,所述控制系统仅包括温度控制系统。本实用新型通过温度变化为控制特征的控制系统实现了铜铟镓硒薄膜电池制备工艺低成本,以及通过控制系统直接影响系统制备CIGS薄膜的质量。 |
