首页/ 汉能新能源研发中心有限公司/ 专利详情

一种薄膜太阳能电池

基本信息

申请号 CN201320576664.3 申请日 -
公开（公告）号 CN203445135U 公开（公告）日 2014-02-19
申请公布号 CN203445135U 申请公布日 2014-02-19
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 兰立广;童翔;丁建;陈振;杨汉波;张庆钊 申请（专利权）人 汉能新能源研发中心有限公司
代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人 北京汉能创昱科技有限公司;北京创昱科技有限公司
地址 102209 北京市昌平区北七家镇宏福创业园15号院
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型所述的一种薄膜太阳能电池，在低阻窗口层形成电极凹槽，采集电极沉积于电极凹槽内，电极凹槽的深度小于等于缓冲层、高阻窗口层以及低阻窗口层厚度之和。在设置缓冲层、高阻窗口层足够的厚度以保证其膜层的致密度的前提下，可有效降低界面光生载流子复合几率；将采集电极设置于电极凹槽内，不但可以降低两者接触区域垂直方向上高阻窗口层的厚度，有效降低太阳能电池的内阻，提高了太阳能电池的输出功率；同时，增大了采集电极与由高阻窗口层、低阻窗口层构成的透明窗口层的接触面积，提高了采集电极对光生载流子的采集率，进一步提高了薄膜太阳能电池的输出功率。