封装结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910681799.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110783208B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN110783208B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石磊 | 申请（专利权）人 | 南通通富微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高德志 |
| 地址 | 226001江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种封装结构的形成方法，在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后，形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件；形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；剥离所述载板，形成预封面板；在所述预封面板的背面形成与第一焊盘连接的第一外部接触结构以及与第二焊盘连接的第二外部接触结构。通过在第一屏蔽层上形成第二屏蔽层，所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。 |
