封装结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910681742.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110718472B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN110718472B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石磊 | 申请（专利权）人 | 南通通富微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高德志 |
| 地址 | 226001江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种封装结构的形成方法，在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后，形成包覆半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；在每一个半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件；形成覆盖第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；剥离所述载板，形成预封面板。形成的具有椭球状表面的第一屏蔽层不仅第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和形成的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。 |
