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一种硅块的少子寿命检测方法

基本信息

申请号	CN201410810984.X	申请日	-
公开（公告）号	CN105785251B	公开（公告）日	2018-05-25
申请公布号	CN105785251B	申请公布日	2018-05-25
分类号	G01R31/26	分类	测量；测试;
发明人	汪万盾	申请（专利权）人	浙江昱辉阳光能源有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	浙江昱辉阳光能源有限公司
地址	314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区宝群东路158号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种少子寿命检测方法，包括：将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。