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一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件

基本信息

申请号 CN202110650714.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113299762A 公开（公告）日 2021-08-24
申请公布号 CN113299762A 申请公布日 2021-08-24
分类号 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李铭;谢驰;王为;曾潇;李泽宏 申请（专利权）人 贵州雅光电子科技股份有限公司
代理机构 贵阳中新专利商标事务所 代理人 刘楠
地址 550081贵州省贵阳市高新区金阳园区都匀路12号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，包括背面金属层，第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区、栅氧化层、多晶硅栅极、第一导电类型半导体重掺杂区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、正面金属层，本发明通过创造性设计栅氧化层、多晶硅栅极、第二导电类型半导体体区和第一导电类型半导体重掺杂源区结构布局，再通过设置第一导电类型半导体重掺杂区及布置，使得本发明可形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区，使得初始电流路径的电压更低，且稳定性高，从而大大降低了正向导通压降，提高了二极管正向过流能力，本发明工艺制备相对容易，实用性强。