一种适于制造大尺寸高纯度多晶硅铸锭的真空炉

基本信息

申请号 CN200810033908.7 申请日 -
公开(公告)号 CN101311343B 公开(公告)日 2010-12-08
申请公布号 CN101311343B 申请公布日 2010-12-08
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 徐炜 申请(专利权)人 上海晨安电炉制造有限公司
代理机构 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 代理人 沈美英
地址 201804 上海市嘉定区黄渡工业园区春浓路278号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种适于制造大尺寸高纯度多晶硅铸锭的真空炉,保温罩设置为可升降式,由伺服直线运动机构和一端固定设置在保温罩顶部上的连动杆组成的升降机构主体安装设置在炉盖上,供电部件中的电极设置为水冷式,位于炉内的输电电缆设置为柔性水冷式。由于料台和坩埚设置为可免受升降机构的工作干扰、有利于确保结晶质量的固定式,坩埚内部容积的大小只与料台的承载能力有关,便于设置大容量的坩埚,且采用了具有确保可靠工作寿命的水冷式上下电极和水冷式柔性电缆,便于保温罩的自由升降,结构科学且合理,工作可靠且寿命长,产品质量稳定且纯度高,适于生产大尺寸、高纯度的多晶硅铸锭,具有很强的实用性。