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一种带副室结构的泡生法晶体生长炉

基本信息

申请号 CN201110061052.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102677158A 公开（公告）日 2012-09-19
申请公布号 CN102677158A 申请公布日 2012-09-19
分类号 C30B17/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 廖永建;徐炜;沈禹;孙矿 申请（专利权）人 上海晨安电炉制造有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201804 上海市嘉定区黄渡工业园区春浓路278号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种带副室结构的泡生法晶体生长炉，属于晶体生长设备技术领域。本发明所提供的泡生法晶体生长炉在主室和提拉旋转装置间设置副室，通过真空阀门的切换，主室与副室可连通或成为独立腔体，在副室内可进行籽晶安装、二次加料等操作。可在晶体生长过程尤其是晶体生长早期出现各种异常情况如籽晶碎裂、籽晶长度不足、熔体表面有杂质漂浮物、接种效果不良、初期晶体碎裂或其它不理想状况时，在主室处于高温状态下即可进行及时处理，无需像常规泡生法晶体生长炉需要高温停炉处理，不仅有效节省了时间和能耗，还有效避免了高温反复冲击对热场结构与坩埚的损伤，提高了热场的稳定性和重复性，大大节省了生产成本，有效地提高了成品率。