一种MOSFET电流检测电路
基本信息
| 申请号 | CN201921939776.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212749028U | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN212749028U | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | G01R19/00(2006.01)I;G01R19/32(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 黄明乐;郑春芳 | 申请（专利权）人 | 合肥仙湖半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇捷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张利 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种MOSFET电流检测电路，包括功率开关管、检测开关管、热敏电阻、定值电阻和电压检测电路；功率开关管与检测开关管同步开关，功率开关管开通时，检测电路电压与功率开关管DS端电压相对应，进而得到功率开关管的电流，本实用新型的有益效果在于：热敏电阻阻值变化与待检测开关管导通电阻值随温度变化相应变化，以抵消导通电阻值随温度变化对检测电流的影响；通过选择适当温度系数的热敏电阻使得检测电流不随温度的变化而变化，补偿了待检测开关管导通阻值的温度特性，从而减小或消除温度对测量精度的影响，该检测电路具有检测精度高，温度特性好的优点。 |
