一种可靠性改善型半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202110258725.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035933A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035933A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王海军 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 汤时达 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种可靠性改善型半导体器件，包括中部为元胞区、边缘为终端保护区和截止区的器件本体，器件本体包括表面具有绝缘介质层的半导体衬底、设于绝缘介质层上方的金属互联层及位于金属互联层上方且延伸至截止区的保护层，金属互联层通过器件本体表面的第一接触孔与半导体衬底表面的基极或栅极连接，器件本体的截止区表面设有底端延伸至半导体衬底的第三接触孔，第三接触孔内设有连接半导体衬底与金属互联层的漏电泄放金属。本发明的可靠性改善型半导体器件具有漏电吸收功能，可靠性高、使用寿命长。 |
