一种低应力的半导体芯片
基本信息
| 申请号 | CN202010348049.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111508956A | 公开（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申请公布号 | CN111508956A | 申请公布日 | 2020-08-07 |
| 分类号 | H01L27/082 | 分类 | - |
| 发明人 | 阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低应力的半导体芯片，包括半导体基板，半导体基板包括由多个IGBT元胞并联形成的IGBT芯片区，衬底上还设有阻止区，阻止区位于IGBT芯片区以外，阻止区内设有设有第一接触沟槽，第一接触沟槽内设有热膨胀系数大于二氧化硅热膨胀系数的金属。本发明的低应力的半导体芯片，能降低半导体芯片的面内应力和IGBT芯片区内的应力，改善硅片的翘曲度，能避免后续工艺中设备传送问题，能形成低应力的深沟槽IGBT器件。 |
