一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010165552.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111430453A | 公开（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申请公布号 | CN111430453A | 申请公布日 | 2020-07-17 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 | 分类 | - |
| 发明人 | 阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，其FRD区内相邻发射沟槽区之间设置有与发射极电极形成欧姆接触的第二P型基区，第二P型基区的两侧设有与发射极电极形成肖特基接触的P型肖特基结区，并且第二P型基区的深度大于P型肖特基结区的深度，P型肖特基结区的掺杂浓度低于第二P型基区的掺杂浓度，第一P型基区的掺杂浓度与第二P型基区的掺杂浓度相等。本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片其反向恢复电流较小，此外，本发明还涉及该RC‑IGBT芯片的制造方法。 |
