一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构
基本信息
| 申请号 | CN201921553297.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210607266U | 公开（公告）日 | 2020-05-22 |
| 申请公布号 | CN210607266U | 申请公布日 | 2020-05-22 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、发射极电极、JFET区本体、绝缘介质层、N+发射区、P阱区、P+深阱区、漂移区、P型集电极区和集电极本体。本实用新型通过刻蚀工艺在JFET区本体的上方去除多晶硅栅极，使得器件承受反向耐压时JFET区本体的表面电场大为减少，增强了P阱区对JFET区本体的耐压保护作用，增大了器件的击穿电压，JFET区本体上方没有多晶硅栅极，在器件承受反向击穿电压时，JFET区本体的表面电场强度降低，解决了JFET区表面的电场峰值增大，造成器件的击穿电压较低，以及栅源电容和栅漏电容较大，器件开通和关断损耗较大的问题。 |
