一种RC-IGBT芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010031299.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111211168A | 公开（公告）日 | 2020-05-29 |
| 申请公布号 | CN111211168A | 申请公布日 | 2020-05-29 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种RC‑IGBT芯片，包括IGBT区及FRD区，IGBT区及FRD区内均包括P型基区及接触区，而IGBT区内P型基区的厚度及掺杂浓度均大于FRD区内P型基区的厚度及掺杂浓度，从而提高了其反向恢复特性。同时IGBT内接触区掺杂浓度大于FRD区内掺杂浓度，这有利于减少二极管的反向恢复电流和反向恢复损耗，增强器件的鲁棒性。此外，本发明还涉及该RC‑IGBT芯片的制造方法。 |
