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一种导通均匀性高的半导体功率器件

基本信息

申请号 CN202010473658.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111640717A 公开（公告）日 2020-09-08
申请公布号 CN111640717A 申请公布日 2020-09-08
分类号 H01L23/482(2006.01)I 分类 -
发明人 王海军;阳平 申请（专利权）人 上海擎茂微电子科技有限公司
代理机构 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微电子科技有限公司
地址 201100上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种导通均匀性高的半导体功率器件，包括由多个IGBT元胞形成的芯片本体及芯片本体表面的栅极总线，栅极总线包括设置于芯片本体外围的环状栅极总线、位于环状栅极总线内且两端分别与环状栅极总线连接的至少一条条状栅极总线，多个条状栅极总线中至少一个条状栅极总线上设置有至少两个栅极焊盘，环状栅极总线的表面设有环状的且由金属材料制成的栅极流道，栅极总线由多晶硅材料制成，栅极总线与IGBT元胞内的多晶硅栅极连接。本发明的导通均匀性高的半导体功率器件，通过双栅极焊盘和栅极总线的设置使得各元胞内栅极导通更均匀。