一种用于制备半导体器件的晶圆及晶圆的背面减薄方法
基本信息
| 申请号 | CN202010992591.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111987146A | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN111987146A | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王海军;阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201100上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制备半导体器件的晶圆，包括晶圆本体，晶圆本体的背面通过背面减薄形成凹槽，晶圆本体绕所述凹槽形成位于晶圆本体边缘的支撑环，支撑环的侧面即凹槽的内侧面为斜面。本发明的用于制备半导体器件的晶圆在背面N型曝光时光刻胶不易残留，从而避免退火时光刻胶对设备的影响。 |
