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一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构

基本信息

申请号	CN201921552313.2	申请日	-
公开（公告）号	CN210607265U	公开（公告）日	2020-05-22
申请公布号	CN210607265U	申请公布日	2020-05-22
分类号	H01L29/739;H01L29/06	分类	基本电气元件;
发明人	阳平	申请（专利权）人	上海擎茂微电子科技有限公司
代理机构	温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	上海擎茂微电子科技有限公司
地址	201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区以及集电极，浮空栅极场板与多晶硅栅极相连，并在器件表面跨过栅极的上方延伸至JFET区上方。本实用新型通过设置半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P型集电极区和集电极的相互配合，达到了击穿特性好的优点，解决了现有的平面栅双极型晶体管结构击穿特性差的问题，方便了人们使用，提高了平面栅双极型晶体管结构的实用性。