一种鲁棒性高的半导体装置及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110399546.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130628A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130628A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王海军 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 汤时达 |
| 地址 | 201100上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种鲁棒性高的半导体装置，包括半导体衬底、设于半导体衬底背面的集电极及集电极金属层、设于半导体衬底表面的栅氧化层及栅氧化层上方的多个栅极多晶硅、位于栅极多晶硅上方的绝缘介质层及金属互联层，其特征在于：半导体衬底的表面还设有多个有效源区及纵向载流子调整区，有效源区或纵向载流子调整区位于相邻栅极多晶硅之间，有效源区及纵向载流子调整区均包括阱区、阱区上方的第一载流子掺杂区、位于第一载流子掺杂区上方的第二载流子掺杂区，有效源区与金属互联层电性连接，纵向载流子调整区与金属互联层电性隔绝。本发明的鲁棒性高的半导体装置尺寸较小且成本较低。此外，本发明还提供了制造该半导体装置的方法。 |
