一种防止表面金属层脱焊的半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011415145.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112542435A | 公开（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申请公布号 | CN112542435A | 申请公布日 | 2021-03-23 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王海军;阳平 | 申请（专利权）人 | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 汤时达 |
| 地址 | 201100上海市闵行区东川路555号乙楼一层1001室（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种防止表面金属层脱焊的半导体装置，包括表面具有绝缘介质层的半导体器件，半导体器件的表面设有接触孔，接触孔内侧面上设置有一层由金属钛材料制成的接触层，接触层的表面设有一层由氮化钛材料制成的阻挡层，接触孔内侧面还设置有一层由金属钨材料制成的侧壁保护层，接触孔内及半导体器件的表面还设置有金属互联层，金属互联层的上方设有第一钝化层和第二钝化层。本发明的防止表面金属层脱焊的半导体装置，其键合后表面金属层不易脱落、剥离，可靠性高。此外本发明还涉及该半导体装置的制造方法。 |
