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提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法

基本信息

申请号 CN201110209552.X 申请日 -
公开（公告）号 CN102270711B 公开（公告）日 2013-03-20
申请公布号 CN102270711B 申请公布日 2013-03-20
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 秦海滨;张志成;郭强;张彦伟 申请（专利权）人 山西天能科技股份有限公司
代理机构 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） 代理人 山西天能科技股份有限公司;山西思科达科技有限公司
地址 030006 山西省太原市高新区总部大街12号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法；采用的技术方案为：提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，按以下步骤进行：第一步、用SiO2作为衬底的底层；第二步、用Si作为衬底的第二层；第三步：在Si层上生长GaN层；本发明利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率。