包括绕过物理层的硅通孔（TSV）的可配置随机存取存储器（RAM）阵列
基本信息
| 申请号 | CN201811073439.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110675903A | 公开（公告）日 | 2020-01-10 |
| 申请公布号 | CN110675903A | 申请公布日 | 2020-01-10 |
| 分类号 | G11C11/408（2006.01）; G11C11/409（2006.01）; H01L23/48（2006.01）; H01L27/108（2006.01）; H01L21/8242（2006.01） | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 李建文 | 申请（专利权）人 | 上海登临科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海登临科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区盛夏路570号901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种系统，包括：主逻辑电路，该主逻辑电路包括存储器控制器，存储器控制器包括信号控制电路和电耦合到信号控制电路的硅通孔(TSV)连接点；以及存储器设备，存储器设备包括存储器单元，所述存储器单元包括电耦合到所述主逻辑电路的TSV连接点的TSV，其中所述信号控制电路使用所述TSV传输信号以操作所述存储器设备。 |
