二次量化的混合ADC
基本信息
| 申请号 | CN201610116762.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105811985A | 公开（公告）日 | 2016-07-27 |
| 申请公布号 | CN105811985A | 申请公布日 | 2016-07-27 |
| 分类号 | H03M1/36(2006.01)I;H03M1/14(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 包应江 | 申请（专利权）人 | 武汉众为信息技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能产业园3栋3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种二次量化的混合ADC，包括全并行Flash结构1，用于转换高位码，通过电阻形式的比较避免大电容的产生；余量放大器2，用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大，减小环境噪声对余量的影响，并传输给下一级；左端SAR电容阵列3，用于转换低位码中的较高位，其中包含充电速度较慢的大电容；右端SAR电容阵列4，用来转换低位码中的较低位，其中包含充电速度较快的小电容；SAR逻辑电路5，用于进行SAR逻辑比较，并控制电容阵列中基准电压的变化；控制逻辑电路6，用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态。 |
