一种半导体光电倍增器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710198777.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106981542A | 公开（公告）日 | 2017-07-25 |
| 申请公布号 | CN106981542A | 申请公布日 | 2017-07-25 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L27/10;H01L27/102;H01L27/144 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐青;杨健 | 申请（专利权）人 | 武汉京邦科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道9号东湖高新科技创意城A03-301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及光电子和微电子制造领域，特别是涉及一种用于光子探测的半导体光电倍增器件的制造方法。本发明通过外延、淀积、刻蚀、介质槽填充等工艺步骤，形成了一种具有透明电容结构的半导体光电倍增器件，透明电容结构位于器件的光敏区上方，在不降低器件填充因子的前提下保证了器件具有较高的光吸收率，同时降低了器件的整体电容。本发明的制造方法具有与CMOS工艺相兼容、工艺简单、成本低的优点。由本发明所制造的半导体光电倍增器件，不仅具有较高的探测效率，而且具有较高的光电信号转换速度，可以大大提高基于半导体光电倍增器的应用系统的时间分辨率。 |
