一种半导体器件封装及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911194932.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110943001B | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN110943001B | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;F16L59/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王桥 | 申请（专利权）人 | 徐州顺意半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 卢华强 |
| 地址 | 101500 北京市密云区兴盛南路8号院2号楼106室-566（商务中心集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件封装及其制备方法，该方法包括以下步骤：在第一、第二高导热基底的上表面均形成多个凹腔；在每个所述凹腔中均设置一高散热型芯片，在所述第一、第二高导热基底的上表面设置一层或多层热阻层；在所述第一高导热基底上表面的热阻层上沉积形成导电布线层，在所述导电布线层上形成多个导电结构，并在所述导电布线层上设置多个低散热型芯片；接着在每个所述导电结构上设置焊料，接着将所述第二高导热基底置于所述第一高导热基底上，使得每个所述导电结构与第二高导热基底的凹腔中的高散热型芯片电连接，接着通过模塑工艺形成一封装层，最后，减薄所述第一高导热基底以及所述第二高导热基底。 |
