一种介质层的沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN201911110095.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110931422B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN110931422B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王桥 | 申请（专利权）人 | 徐州顺意半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 国红 |
| 地址 | 710061 陕西省西安市雁塔区长安南路农林壹号小区1号楼1单元1901 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种一种介质层的沉积方法，其包括通过可流动化学气相沉积逐层沉积并退火形成介质层，能够实现对于不同深宽比跨度的结构能够进行均匀填充，介质层不产生孔洞，并且，介质层具有较高的膜密度，能够形成具有均匀介电常数的电介质。 |
