一种功率模块及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911193258.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111106017B | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN111106017B | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L21/52;H01L21/54;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/373;F16L59/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王桥 | 申请（专利权）人 | 徐州顺意半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吕连川 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区黄阁北路449号龙岗天安数码创新园二号厂房B401-W | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种功率模块及其制备方法，所述功率模块包括：在所述第一金属基底的上表面形成多个第一凹槽，在每个所述第一凹槽中均设置一第一功率元件，在所述第一金属基底的上表面上形成第一、第二隔热层，在所述第二隔热层上形成第一布线层，在所述第一布线层上设置多个导电柱以及多个控制元件，在第二金属基底的上表面形成多个第二凹槽以及贯穿所述第二金属基底的导电结构，在每个所述第二凹槽中均设置一第二功率元件，接着在所述第二金属基底的上表面上形成第三、第四隔热层，在所述第四隔热层上形成第二布线层，所述第二金属基底置于所述第一金属基底上，一模塑层，所述模塑层完全包裹所述第一、第二金属基底的上表面。 |
