一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202111211968.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113972319A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113972319A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01L49/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 芦红;常梦琳;袁紫媛 | 申请（专利权）人 | 南京磊帮半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 210046江苏省南京市栖霞区仙林大道163号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中金属Al薄膜层夹杂在第一半导体层和第二半导体层之间，金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶。本发明还提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构的制备方法。本发明利用两步法外延制备的金属Al薄膜表面平整，单晶质量高，无孪晶，光学损耗低，半导体/金属/半导体量子阱结构可用于半导体量子信息器件。 |
