一种去除多晶硅中碳、氮杂质的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810090948.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108128779B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN108128779B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | C01B33/037 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 石爽;李鹏廷;谭毅;姜大川;张磊 | 申请（专利权）人 | 青岛蓝光晶科新材料有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 青岛蓝光晶科新材料有限公司 |
| 地址 | 266200 山东省青岛市即墨市蓝色硅谷核心区创业中心一期海创中心3号楼A座4-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于多晶硅熔炼技术领域，特别涉及一种去除多晶硅中碳、氮杂质的方法。本发明通过在电子束熔炼过程中，向原料中添加高纯石英砂，构建氧化性的熔炼环境，使硅中溶解的碳、氮元素与氧结合形成易挥发的氧化性气体，从而被去除。该方法制得的产品碳、氮杂质去除效果好，且具有成本低、提纯效率高等特点。 |
