一种超低阻硅靶材的生产方法
基本信息
| 申请号 | CN201710004519.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106676486B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN106676486B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张磊;顾正;张晓峰;郭校亮;陈良杰 | 申请（专利权）人 | 青岛蓝光晶科新材料有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 梅洪玉 |
| 地址 | 262200山东省青岛市即墨市蓝色硅谷核心区创业中心一期海创中心3号楼A座4-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及硅靶材生产技术领域，特别涉及一种超低阻硅靶材的生产方法。该方法采用经过酸浸泡处理过的高硼含量母合金掺入，经过高效铸锭工艺进行硅靶材生产。本发明可使硅靶材的电阻率小于0.01Ω·cm，最低可达到0.005Ω·cm，其尺寸范围可以达到500mm×500mm，纯度大于5.5N，致密度大于99％。 |
