化学气相沉积设备
基本信息
| 申请号 | CN201821482261.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209010598U | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN209010598U | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | C23C16/458（2006.01）I; C23C16/455（2006.01）I; C23C16/46（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 丁欣 | 申请（专利权）人 | 上海埃延半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海华诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海引万光电科技有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市奉贤区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区新杨公路1588号4幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种化学气相沉积设备。该设备包括反应腔，反应腔内包括多个用于承载衬底的基座，多个基座为圆盘形，工艺气体通过管路进入反应腔，多个基座中的每个基座彼此之间并列排布，各个基座的圆心在同一直线上；各个基座承载衬底的上表面彼此相互平行或在同一平面上；各个基座的转动轴线在同一平面上，各个基座相对于彼此独立地旋转；以及工艺气体沿各个基座的上表面，垂直于各个基座的各个圆心的连线方向流动。 |
