写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911362552.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081298A | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN111081298A | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | G11C11/419 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 吴浩 | 申请（专利权）人 | 苏州腾芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 江阴义海知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宋俊华 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-A405单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法，对数据锁存器写0时，第一字线控制第一传输管导通，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第三传输管导通；对数据锁存器写1时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管导通，第三字线控制第三传输管导通；读取数据锁存器中的数据时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第四传输管导通，且位线初始设置为高电平。本发明对数据锁存器进行写操作时，可不需要位线的辅助。 |
