具有电压控制模块的SRAM单元
基本信息
| 申请号 | CN201911362549.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110970072A | 公开（公告）日 | 2020-04-07 |
| 申请公布号 | CN110970072A | 申请公布日 | 2020-04-07 |
| 分类号 | G11C11/418;G11C11/419 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 吴浩 | 申请（专利权）人 | 苏州腾芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 宋俊华 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-A405单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有电压控制模块的SRAM单元，包括第一上拉PMOS管、第二上拉PMOS管、第一电源线、第二电源线、第一NMOS传输管、第二NMOS传输管、第一字线、第二字线、第一电压控制模块和第二电压控制模块；第一上拉PMOS管的源极与第一电源线连接，第二上拉PMOS管的源极与第二电源线连接；第一电源线通过第一电压控制模块与电源连接，第二电源线通过第二电压控制模块与电源连接。本发明在对数据锁存器进行写操作时，可降低一侧上拉PMOS管的驱动能力，更利于写操作的完成。 |
