SRAM存储器的内部时钟产生电路专利查询专利号|摘要-满商公司网

SRAM存储器的内部时钟产生电路

基本信息

申请号	CN202011450900.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112491399A	公开（公告）日	2021-03-12
申请公布号	CN112491399A	申请公布日	2021-03-12
分类号	H03K3/02(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I	分类	基本电子电路;
发明人	徐晓明;吴浩	申请（专利权）人	苏州腾芯微电子有限公司
代理机构	苏州曼博专利代理事务所（普通合伙）	代理人	宋俊华
地址	215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-A405单元
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种SRAM存储器的内部时钟产生电路，包括延时模块、与非门ND1、上拉PMOS管MP1以及下拉NMOS管MN1；延时模块对外部时钟信号CLK进行延时和反向，生成延时信号CKB；与非门ND1的输入端分别连接外部时钟信号CLK和延时信号CKB，输出端生成控制信号SIG1；上拉PMOS管MP1受控制信号SIG1控制开断，且被控制信号SIG1开启时，将内部时钟信号LCK上拉为高电平；下拉NMOS管MN1受内部时钟关断信号STCK控制开断，且被内部时钟关断信号STCK开启时，将内部时钟信号LCK下拉为低电平。本发明LCK的产生速度更快，本发明电路使用的管子更少，节省版图的面积；在低电压工作状态下，本发明具有更强的驱动能力；本发明还能解决外部大延时时钟无法生成内部时钟的难题。