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一种SRAM单元的读写操作方法

基本信息

申请号 CN201911362551.1 申请日 -
公开（公告）号 CN111091856A 公开（公告）日 2020-05-01
申请公布号 CN111091856A 申请公布日 2020-05-01
分类号 G11C11/419;G11C11/412 分类 信息存储;
发明人 吴浩 申请（专利权）人 苏州腾芯微电子有限公司
代理机构 江阴义海知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 宋俊华
地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-A405单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SRAM单元的读写操作方法，在对数据锁存器进行写操作时，可降低一侧上拉PMOS管的驱动能力，更利于写操作的完成。