一种亚阈值电压基准电路
基本信息
| 申请号 | CN202011518921.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112650351B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN112650351B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | G05F1/625 | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 胡晓宇;袁甲;于增辉;凌康 | 申请（专利权）人 | 北京中科芯蕊科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 王爱涛 |
| 地址 | 100092 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼4层4单元403-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种亚阈值电压基准电路，包括：3T亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制NMOS电路，3T亚阈值基准电压电路包括本征NMOS管和与本征NMOS管连接的自偏置共源共栅电路；本征NMOS管和电源电压连接；自偏置共源共栅电路和本征NMOS管均与自偏置衬底调制NMOS电路连接；自偏置衬底调制NMOS电路接地。该亚阈值电压基准电路通过增加自偏置衬底调制NMOS电路和将传统的2T亚阈值基准电压电路中自偏置NMOS管改为自偏共源共栅电路的方式来减小输出参考电压受温度的影响，同时降低电路的功耗。 |
