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一种镀膜速率的控制方法、控制系统及存储介质

基本信息

申请号	CN202010355971.3	申请日	-
公开（公告）号	CN111471984A	公开（公告）日	2020-07-31
申请公布号	CN111471984A	申请公布日	2020-07-31
分类号	C23C16/52(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	王凯;盛兆亚;张建飞;宋文庆	申请（专利权）人	苏州沃盾纳米科技有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	苏州沃盾纳米科技有限公司
地址	215332江苏省苏州市昆山市花桥镇金洋路15号1号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种镀膜速率的控制方法、控制系统及存储介质，其属于镀膜技术领域，镀膜速率的控制方法包括：先检测第(k)采样周期的第(k)膜层厚度及获取第(k‑1)采样周期的第(k‑1)膜层厚度；根据第(k)膜层厚度、第(k‑1)膜层厚度及采样周期，确定实时镀膜速率；比较实时镀膜速率与目标速率，当实时镀膜速率大于或小于目标速率时，获取位于第(k)采样周期前的k‑1个采样周期的实际镀膜速率，并采用误差预估算法处理实时镀膜速率、目标速率、采样周期及k‑1个采样周期的实际镀膜速率，得到实时镀膜速率调节量，最后根据实时镀膜速率调节量调节蒸发仓内的温度。本发明保证了镀膜的精确控制，从而保证了待镀膜物体的镀膜质量和生产效率。