一种晶体硅太阳电池
基本信息
| 申请号 | CN201120232467.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202120925U | 公开（公告）日 | 2012-01-18 |
| 申请公布号 | CN202120925U | 申请公布日 | 2012-01-18 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄钦;王平;李晓华 | 申请（专利权）人 | 常州盛世电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 金辉 |
| 地址 | 213144 江苏省常州市武进区邹区镇工业集中区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶体硅太阳电池，由减反射膜、N型硅、PN结、P型硅依次复合而成。本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳电池的减反射膜，主要作用是减少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氢，可以很好的钝化硅中的表面悬挂键，从而提高了载流子迁移率；密集均匀的绒面可增加光的吸收面积，提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳能电池的光电转换效率；应用银铝浆料制作电极和背电场，优化图形设计，不仅确保了电极良好的导电性、可焊性以及背电场的平整性，更具有优异的印刷性能、附着力高、弯曲度低和转换效率高的优点。 |
