首页/ 无锡华润华晶微电子有限公司/ 专利详情

沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法

基本信息

申请号 CN201811607412.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111384168A 公开（公告）日 2020-07-07
申请公布号 CN111384168A 申请公布日 2020-07-07
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 -
发明人 肖璇;叶俊;李杰 申请（专利权）人 无锡华润华晶微电子有限公司
代理机构 北京博思佳知识产权代理有限公司 代理人 无锡华润华晶微电子有限公司
地址 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET包括外延层、多个沟槽和体区；外延层具有第一导电类型；沟槽形成于所述外延层中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽的内部设置有栅结构；体区具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。发明的沟槽MOSFET的至少一沟槽与至少两个沟槽相连通，体区设置在所述沟槽之间，使得体区邻接于沟槽的表面积增大，可发生导电类型反转形成反型层的区域变大，增加了体区中形成反型层的密度，即增加了导电沟道的密度，降低了沟槽MOSFET的沟道电阻，从而降低了沟槽MOSFET的比导通电阻。