瞬态电压抑制二极管结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910491591.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112054050A | 公开（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申请公布号 | CN112054050A | 申请公布日 | 2020-12-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴志伟;毛虹懿 | 申请（专利权）人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种瞬态电压抑制二极管结构及其制作方法，在半导体叠层内设置若干隔离环，若干隔离环将半导体叠层隔成若干叠层单元；分别在半导体叠层的上表面与下表面对应形成第一电极与第二电极，第一电极与第二电极连续分布于各个叠层单元。换言之，每个叠层单元对应一个瞬态电压抑制子二极管，各个瞬态电压抑制子二极管并联。瞬态电压抑制二极管反向使用时，各个瞬态电压抑制子二极管由于并联，因而各个叠层单元，具体地，各个叠层单元靠近隔离环处都可提供IPP浪涌电流的流动通道，减小各个流动通道内的IPP浪涌电流大小，以提高瞬态电压抑制二极管器件抗IPP浪涌电流能力。 |
