一种超结MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202110428258.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113224164A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113224164A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任敏;李长泽;马荣耀;张新;郑芳;张雪璠;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 敖欢 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种超结MOS器件，从下至上依次包括漏极金属层、重掺杂第二类导电类型半导体漏区、中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层、轻掺杂第二类导电类型半导体柱区、中等掺杂第二类导电类型半导体JFET区、源极金属层；本发明在超结VDMOS器件的基础上，将部分漏极金属层挖槽填充穿过中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层与重掺杂第一类导电类型岛区接触，重掺杂第一类导电类型岛区之间为轻掺杂第二类导电类型半导体间隙区。反向恢复电流下降阶段由于有空穴的注入，中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层空穴下降速度减慢，反向恢复电流得以平滑衰减，从而降低反向恢复的硬度。 |
