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VDMOS晶体管及制作VDMOS晶体管的方法

基本信息

申请号 CN201710646818.4 申请日 -
公开（公告）号 CN109326642B 公开（公告）日 2020-12-29
申请公布号 CN109326642B 申请公布日 2020-12-29
分类号 H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 魏峰 申请（专利权）人 无锡华润华晶微电子有限公司
代理机构 北京博思佳知识产权代理有限公司 代理人 无锡华润华晶微电子有限公司
地址 214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种VDMOS晶体管及其制作方法。其中，所述VDMOS晶体管包括衬底、形成在所述衬底上的第一外延层、形成在所述第一外延层上的第二外延层、形成在所述第二外延层上的栅、形成在所述第二外延层内的第一源区与第二源区，以及形成在所述第二外延层内的隔离槽结构。所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，并且，所述第一、二外延层具有相同的导电类型。所述隔离槽结构位于所述第一源区与第二源区之间并且位于所述栅的下方。本发明的VDMOS晶体管及其制作方法，既可降低VDMOS晶体管的导通电阻，也可维持其击穿电压。